Тип памяти DDR3L

Форм-фактор DIMM 240-контактный

Тактовая частота 1600 МГц

Пропускная способность 12800 Мб/с

Объем 1 модуль 8 Гб

Поддержка ECC есть

Буферизованная (Registered) да

Низкопрофильная (Low Profile) нет

Тайминги

CAS Latency (CL) 11

RAS to CAS Delay (tRCD) 11

Row Precharge Delay (tRP) 11

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка

Напряжение питания 1.35 В

Количество ранков 1