Тип памяти DDR3

Форм-фактор DIMM 240-контактный

Тактовая частота 1333 МГц

Пропускная способность 10600 Мб/с

Объем 1 модуль 4 Гб

Поддержка ECC нет

Буферизованная (Registered) нет

Низкопрофильная (Low Profile) нет

Тайминги

CAS Latency (CL) 9

RAS to CAS Delay (tRCD) 9

Row Precharge Delay (tRP) 9

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля 8, односторонняя упаковка

Напряжение питания 1.5 В

Количество ранков 1