Общие характеристики
- Тип памяти DDR3
- Форм-фактор DIMM 240-контактный
- Тактовая частота 1333 МГц
- Пропускная способность 10600 Мб/с
- Объем 1 модуль 4 Гб
- Поддержка ECC нет
- Буферизованная (Registered) нет
- Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
- CAS Latency (CL) 9
- RAS to CAS Delay (tRCD) 9
- Row Precharge Delay (tRP) 9
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля 8, односторонняя упаковка
- Напряжение питания 1.5 В
- Количество ранков 1
Отзывы
Отзывов пока нет.